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SUD40N02-08
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
2.0
1.6
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 4.5 V
I D = 20 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
1.2
0.8
0.4
10
T J = 25 _ C
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - Junction Temperature ( _ C)
THERMAL RATINGS
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
50
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
200
Safe Operating Area
40
100
Limited
by r DS(on)
10 m s
100 m s
30
20
10
0
10
1
T C = 25 _ C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
dc
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
T C - Case Temperature ( _ C)
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
2
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
www.vishay.com
4
Document Number: 71422
S-31724—Rev. B, 18-Aug-03
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